一种InGaAs／InP复合沟道高电子迁移率晶体管模拟的新方法

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：fengpose

【摘要】

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采用一种新方法对InGaAs／InP复合沟道高电子迁移率晶体管进行了模拟．该方法通过流体力学模型和密度梯度模型的联合求解，得到了沟道内的电子密度分布．与一些传统方法相比，该方法收

【作者】

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刘亮张海英尹军舰李潇徐静波宋雨竹刘训春

【机构】

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中国科学院微电子研究所

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

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2007年11期

【关键词】

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INP INGAAS/INP 复合沟道高电子迁移率晶体管模拟 InP InGaAs composite channel HEMTs simulation

【基金项目】

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国家重点基础研究发展规划资助项目（批准号：G2002CB311901）

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采用一种新方法对InGaAs／InP复合沟道高电子迁移率晶体管进行了模拟．该方法通过流体力学模型和密度梯度模型的联合求解，得到了沟道内的电子密度分布．与一些传统方法相比，该方法收敛性更好，速度更快，且同样适用于其他类型高电子迁移率晶体管器件的模拟．利用仿真对InGaAs／InP复合沟道高电子迁移率晶体管进行了深入研究．

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