【摘 要】
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采用孪生ZnO(Al2O3:2%)对靶直流磁控溅射制备高透过率、高电导率的平面ZnO薄膜(迁移率为5.56 cm2/V·s,载流子浓度为4.57×1020cm-3,电阻率为2.46×10-3Ω·
【基金项目】
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国家重点基础研究发展计划(973计划)
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采用孪生ZnO(Al2O3:2%)对靶直流磁控溅射制备高透过率、高电导率的平面ZnO薄膜(迁移率为5.56 cm2/V·s,载流子浓度为4.57×1020cm-3,电阻率为2.46×10-3Ω·cm,可见光范围(380～800nm)平均透过率大于85%).用酸腐蚀的方法,可以获得绒面效果,而反应气压对绒面效果没有影响,薄膜的电学特性没有变化,绒面对光散射作用增强,导致相对于平面ZnO薄膜的透过率要低一些(可见光范围平均透过率大于80%).
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