【摘 要】
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本文描述了一种计算GaAs MES FET反向击穿电压的简单数值方法。击穿电压由电离率积分确定,同时只需要很短的计算时间,就能研究多种结构。研究了凹槽栅n~+层、表面势、隐埋沟
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本文描述了一种计算GaAs MES FET反向击穿电压的简单数值方法。击穿电压由电离率积分确定,同时只需要很短的计算时间,就能研究多种结构。研究了凹槽栅n~+层、表面势、隐埋沟道层以及栅下AlGaAs隔离层的影响。
This article describes a simple numerical method for calculating the reverse breakdown voltage of GaAs MES FETs. Breakdown voltage is determined by the ionization rate integral, and at the same time only a short calculation time is required to study a wide range of structures. The effects of the n + layer, the surface potential, the buried channel layer and the AlGaAs under the gate were studied.
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