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研究了HBT产生负阻的可能机制，通过对材料结构和器件结构的特殊设计，采用常规台面HBT工艺，先后研制出3类高电流峰谷比的恒压控制型负阻HBT。超薄基区HBT的负阻特性是由超薄基区串联电阻压降调制效应造成的，在GaAs基InGaP／GaAs和A1GaAs／GaAs体系DHBT中均得到了验证。双基区和电阻栅型负阻HBT均为复合型负阻器件。双基区负阻HBT通过刻断基区，电阻栅负阻HBT通过在集电区制作基极金属形成集电区反型层，构成纵向npn与横向pnp的复合结构，由反馈结构（pnp）的集电极电流来控制主结构（n