【摘 要】
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室温下我们研究了稀磁半导体（Ga,Mn）As 的光调制反射（PR）光谱,观测到来自样品的Franz-Keldysh 振荡（FKO）信号.随着Mn原子浓度的增加,PR 线形展宽,但是临界点E0 和E0＋Δ0没有明显的移
【机 构】
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唐山师范学院,中国科学院半导体研究所
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目（60676054）
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室温下我们研究了稀磁半导体（Ga,Mn）As 的光调制反射（PR）光谱,观测到来自样品的Franz-Keldysh 振荡（FKO）信号.随着Mn原子浓度的增加,PR 线形展宽,但是临界点E0 和E0＋Δ0没有明显的移动.根据FKO 振荡数据,计算得到样品表面电场强度随Mn原子掺杂浓度的增加而增强.测量到与Mn 原子掺杂相关的杂质带,其能量位置离GaAs价带边～100 meV.根据样品的表面电场强度和表面耗尽层模型,估算样品的空穴浓度为～10^17 cm^-3,较低的空穴浓度可能与样品具有较低的居里温度有关
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