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感应耦合等离子体（ICP）刻蚀在AlGaN基紫外探测器台面制作中起着重要作用，初步研究了Cl2／Ar／BCl3ICP刻蚀对A1GaN材料的损伤。运用X射线光电子能谱（XPS）对ICP刻蚀前后的n型Al0.45Ga0．55N表面进行了分析，并对刻蚀后AlGaN材料在N2气中快速热退火进行了研究。结果表明，在N2气中550℃退火3min对材料的电学性能有明显的改善作用。