【摘 要】
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由于CMOS半导体器件具有功耗低、速度快等优点,得到了很大的发展。随着集成电路趋向大规模、超大规模化,CMOS工艺便被广泛采用。最近,日本的Keio大学与有关公司报导了他们对
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由于CMOS半导体器件具有功耗低、速度快等优点,得到了很大的发展。随着集成电路趋向大规模、超大规模化,CMOS工艺便被广泛采用。最近,日本的Keio大学与有关公司报导了他们对先进CMOS工艺深入研究的情况。他们研究的试样为直径3和4英寸的掺磷或掺硼硅单晶,氧含量均在1.5×10~(18)/厘
Due to the advantages of low power consumption and high speed of CMOS semiconductor devices, great progress has been made. As integrated circuits tend to be large-scale, ultra-large-scale, CMOS processes are widely adopted. Recently, Keio University in Japan and related companies reported on their in-depth study of advanced CMOS technology. The samples they studied were phosphorus-doped or boron-doped silicon single crystals of 3 and 4 in diameter with oxygen contents of 1.5 × 10-18 /
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At the G8 finance ministers’ meeting that ended