【摘 要】
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采用射频磁控溅射法制备了ZnS-SiO2 介电薄膜,利用透射电镜和椭偏仪研究了溅射条件对ZnS-SiO2薄膜微结构和折射率n的影响.研究表明,ZnS-SiO2薄膜中存在微小晶粒,大小为2～10 nm
【基金项目】
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Supported by Shanghai Applied Physics Research Center，国家自然科学基金
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采用射频磁控溅射法制备了ZnS-SiO2 介电薄膜,利用透射电镜和椭偏仪研究了溅射条件对ZnS-SiO2薄膜微结构和折射率n的影响.研究表明,ZnS-SiO2薄膜中存在微小晶粒,大小为2～10 nm的ZnS颗粒分布在SiO2基体中,当溅射功率和溅射气压变化时,ZnS-SiO2薄膜的微结构和折射率n发生显著变化,微结构的变化是导致折射率n变化的主要原因,通过优化溅射条件可以制备适用于相变光盘的高质量ZnS-SiO2介电薄膜.
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