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介绍了si衬底上外延生长GaN基HEMT的制备及其直流特性与微波特性的研究结果：栅宽200μm器件Vgs=0V时饱和电流密度达0．975A／mm，最大跨导240mS／mm，夹断电压-4．5V，栅漏击穿电压80V；栅宽1mm器件，在频率2GHzT，工作电压Vds=25v时，连续波输出功率为5．0W，功率增益为9dB，功率附加效率为35％。