【摘 要】
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Mn掺杂ZnO（以下简称ZnO∶Mn）稀磁半导体的磁性根源之一来源于晶体内部的晶化程度及晶格畸变。本文利用磁控溅射方法在玻璃衬底上室温沉积了ZnO、ZnO∶Mn以及Mn和N共掺杂（以下简
【机 构】
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天津职业技术师范大学电子工程学院,天津职业技术师范大学机械工程学院
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Mn掺杂ZnO（以下简称ZnO∶Mn）稀磁半导体的磁性根源之一来源于晶体内部的晶化程度及晶格畸变。本文利用磁控溅射方法在玻璃衬底上室温沉积了ZnO、ZnO∶Mn以及Mn和N共掺杂（以下简称ZnO∶（Mn,N））薄膜。同时结合XRD衍射谱、SEM图和Raman光谱分析了掺入Mn和N元素后ZnO薄膜的结构变化。Raman光谱结果显示,在引入Mn元素以及进一步引入N元素后,薄膜内对应于E2（high）振动模式的Raman特征峰始终保持,说明ZnO、ZnO∶Mn以及ZnO∶（Mn,N）薄膜一直是六角纤锌矿结构。拟
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