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采用4.5Ω·cm的p型单晶硅，通过高温气相扩散法将锰掺入硅中，得到高补偿单晶硅。用化学沉积法，在高补偿单晶硅材料的表面镀金属镍膜，经500℃退火15min，制成Ni电极。用SEM和XPS对电极进行分析，并测试材料的I-V特性曲线。结果表明：经退火后镍与硅形成硅镍化合物（Ni2Si），电极正反向电阻一致，性能稳定，形成欧姆接触。