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介绍一种高质透明异质结的表征与制备方法．该异质结首先在金刚石单晶表面制备出P型金刚石单晶薄膜，然后在其上制备高取向ZnO薄膜，构成n型区．系统测试结果表明，当p-n结正向偏压达到2．5V时，电流密度为109A／m^2，启动电压为0．72V，与期待值一致．良好的整流特性以及在可见光范围内的透明特性在该元件中得以实现．