【摘 要】
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半导体产业长期以来均仰赖于高端聚焦离子束(FIB)工具来切割横截面,以了解纳米级先进芯片制程的细节。然而,要用这些工具来解剖微米和毫米级的MEMS芯片以及采用如硅通孔(TSV)
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半导体产业长期以来均仰赖于高端聚焦离子束(FIB)工具来切割横截面,以了解纳米级先进芯片制程的细节。然而,要用这些工具来解剖微米和毫米级的MEMS芯片以及采用如硅通孔(TSV)技术的3D堆叠芯片时,可能需要花费长达12小时的时间。现在,工具供应商FEI Co.声称,已经彻底改良了用于3D IC和MEMS的聚焦离子束技术。
The semiconductor industry has long relied on high-end focused ion beam (FIB) tools to cut its cross-section to learn the details of nanoscale advanced chip manufacturing. However, it can take up to 12 hours to dissect micron and millimeter MEMS chips and 3D stacked chips such as through-silicon vias (TSVs) using these tools. Now FEI Co., a tool supplier, claims that the focused ion beam technology for 3D ICs and MEMS has been completely improved.
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