分子束外延低温生长GaAs缓冲层

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xxxxx20090818

【摘要】

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<正>在低的衬底温度(约300℃)下生长的GaAs层具有较高的电阻率,较小的光敏特性。低温生长的GaAs层用于MESFET作缓冲层,能够消除背栅效应,改善光敏特性等。国外研究结果表明,

【作者】

：

张允强彭正夫

【机构】

：

南京电子器件研究所,南京电子器件研究所210016,210016,210016

【出处】

：

固体电子学研究与进展

【发表日期】

：

1992年4期

【关键词】

：

分子束外延生长砷化镓缓冲层

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<正>在低的衬底温度(约300℃)下生长的GaAs层具有较高的电阻率,较小的光敏特性。低温生长的GaAs层用于MESFET作缓冲层,能够消除背栅效应,改善光敏特性等。国外研究结果表明,低温GaAs缓冲层为富砷结。用国产MBE—Ⅲ型分子束外延设备进行低温生长GaAs层的研究。半绝缘GaAs衬底温度约580℃,生长约50nm GaAs层。反射高能电子衍射(RHEED)的衍射图样为(2×4)结构。然

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