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为了弥补传统肖特基二极管漏电流大和反向耐压低的不足,采用栅条P＋-N结和肖特基结嵌套形成结势垒肖特基二极管（JBS）,终端结构由7道场限环和1道切断环构成。通过模拟确定最优参数后流片试验,同步制备肖特基二极管（SBD）和Pi N二极管作为对比。结果表明：制备的JBS二极管兼备SBD二极管正偏和Pi N二极管反偏的优点。在漏电流密度小于1×10^-5A/cm^2时,反向耐压达到600 V;正向电流10 A（80.6 A/cm^2）时,导通压降仅为1.1V。