结势垒肖特基二极管相关论文
SiC功率器件是许多航天器用电子设备的重要组成部分，是保障深空探测任务顺利进行的前提和基础。在梳理SiC功率器件发展概况的同时，针......
第三代宽禁带半导体材料氮化镓（Gallium Nitride,Ga N）具有高击穿电压、高电子迁移率、高热稳定性等诸多优良特性,是制备功率器件非......
碳化硅（Silicon Carbide,SiC）作为第三代半导体的代表,具有宽禁带、高临界击穿电场、高电子迁移率和高热导率等特性,是制作功率器件......
第三代半导体碳化硅(Silicon Carbide,SiC)具有宽禁带、高临界电场、高热导率等优良的材料特性,SiC功率器件具有耐高温高压、低自......
碳化硅(SiC)是近年迅速发展起来的第三代半导体材料的代表，与传统半导体材料硅(Si)相比，其在击穿电场强度、载流子漂移速度及热导率......
为了弥补传统肖特基二极管漏电流大和反向耐压低的不足,采用栅条P＋-N结和肖特基结嵌套形成结势垒肖特基二极管（JBS）,终端结构由7道场......
在76．2mm4H—SiC晶圆上采用厚外延技术和器件制作工艺研制的结势垒肖特基二极管（JBS）。在室温下，器件反向耐压达到2700V。正向开启电压......
通过器件模拟仿真软件Sentauras和高分辨率透射电子显微镜HRTEM（High-Resolution Transmission Electron Microscopy）研究了4H-SiC结......
为满足轨道交通电力牵引应用对高压SiC二极管器件的需求,对4H-SiC器件有源区采用了不同JBS栅条参数设计,并通过TCAD仿真对比分析了......
随着绿色高效能源转换的迫切要求和电力电子技术的不断发展,以硅材料为基础的传统电力电子器件的物理局限性日益显现,严重制约了器......
由于碳化硅(SiC)外延材料中缺陷的影响,目前SiC结势垒肖特基(JBS)二极管实际性能仍低于理论预期。通过4H-SiC外延材料生长和表征、......
SiC功率器件具有高频、高效率、耐高温、抗辐射等优势,介绍了目前SiC功率器件应用情况,阐述了SiC-JBS以及SiC混合IGBT的特性,分析......
第三代宽禁带半导体SiC材料因具有良好的电学和物理特性而被广泛地研究和应用。和传统的Si、Ge相比,高的临界击穿电场和更高的热导......
通过理论计算、仿真与实验验证的方式研制出3.3 kV/50 A 4H-碳化硅(SiC)结势垒肖特基(JBS)二极管芯片。芯片漂移区厚度33μm,掺杂......
随着应用环境的不断变化,传统硅基器件的应用已经接近其理论极限值,不能满足日益提高的应用要求,因此必须研究新的半导体材料。第......
随着半导体技术的发展以及集成电路制造工艺的进步,人们对功率半导体器件提出了新的要求,即低正向压降、低反向恢复时间、低功耗、......
碳化硅（SiC）以其优越的性能成为制作高频、抗辐照、耐高温、功耗小及大功率电子器件的理想半导体材料。结势垒肖特基二极管（JBS）结合了......
碳化硅(SiC)半导体材料作为第三代半导体材料具有宽带隙、高电子饱和漂移速度、高热导率、高临界击穿电场的“四高”特性,特别适合......
为增强器件的反向耐压能力,降低器件的漏电功耗,采用Silvaco TCAD对沟槽底部具有SiO2间隔的结势垒肖特基二极管（TSOB）的器件特性进行......
