【摘 要】
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由于碳化硅(SiC)外延材料中缺陷的影响,目前SiC结势垒肖特基(JBS)二极管实际性能仍低于理论预期。通过4H-SiC外延材料生长和表征、4H-SiC JBS二极管制作和器件特性测试分析,
【机 构】
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西安理工大学,西安市电力电子器件与高效电能变换重点实验室,西安电子科技大学
【基金项目】
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国家自然科学基金(61904146),陕西省教育厅自然科学专项(18JK0585)
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由于碳化硅(SiC)外延材料中缺陷的影响,目前SiC结势垒肖特基(JBS)二极管实际性能仍低于理论预期。通过4H-SiC外延材料生长和表征、4H-SiC JBS二极管制作和器件特性测试分析,研究了表面缺陷对4H-SiC JBS二极管反向特性的影响。结果表明,当金属接触区或场限环区有彗星形缺陷或彗核存在时,器件击穿电压较低。胡萝卜缺陷会造成反向偏压较低时器件漏电流的增大,对器件的击穿电压影响不大。生长坑对器件的击穿电压和漏电流影响相对较小。三角形缺陷的存在会导致反向击穿电压降低约50%,漏电流增大4个数量级
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