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无势垒增强型的金属－半导体－金属光电探测器（ＭＳＭ－ＰＤ）已有过理论分析，而对具有完全晶格匹配势垒增强层的ＭＳＭ－ＰＤ则缺乏理论分析，文章将具有安全晶格匹配势垒增强层的ＭＳＭＰＤ简化的为一维模型，并通过理论分析，得出了它的暗电流特性，其结果与实验的相符。
具有势垒增强层的MSM光电探测器特性的模拟
【摘 要】
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无势垒增强型的金属－半导体－金属光电探测器（ＭＳＭ－ＰＤ）已有过理论分析，而对具有完全晶格匹配势垒增强层的ＭＳＭ－ＰＤ则缺乏理论分析，文章将具有安全晶格匹配势垒增强层的ＭＳＭＰＤ简化的为一维模型，并通过理论分
【机 构】
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上海交通大学
【出 处】
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半导体光电
【发表日期】
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1998年1期
【基金项目】
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国家自然科学资助
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