【摘 要】
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数值模拟了高的偏置电流下半导体环形激光器的动态特性,给出了不同反馈系数、偏置电流以及延迟时间下的混沌分叉图。详细的过程状态表明在不同参数下半导体环形激光器进入混
【机 构】
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太原理工大学物理与光电工程学院光电工程研究所,新型传感器与智能控制教育部重点实验室,
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数值模拟了高的偏置电流下半导体环形激光器的动态特性,给出了不同反馈系数、偏置电流以及延迟时间下的混沌分叉图。详细的过程状态表明在不同参数下半导体环形激光器进入混沌的路径不同。结果发现半导体环形激光器在高的电流驱动下产生混沌信号具有高带宽的特点。并研究了不同的参数对混沌带宽的影响,发现在反馈系数为0.5时,混沌带宽可以达到18 GHz。
The dynamic characteristics of the semiconductor ring laser with high bias current are numerically simulated, and the chaotic bifurcation diagrams with different feedback coefficients, bias current and delay time are given. The detailed process states show that the semiconductor ring lasers have different paths into chaos under different parameters. The result shows that the semiconductor ring laser has the characteristics of high bandwidth when the chaotic signal is driven by high current. The influence of different parameters on the chaotic bandwidth is also studied. It is found that the chaotic bandwidth can reach 18 GHz when the feedback coefficient is 0.5.
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