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以InCl3·4H2O为原料，采用溶胶-凝胶技术，浸渍-涂布法制备了In2O3薄膜。同时对薄膜厚度与In2O3含量，涂布涂粘度以及提拉速度等关系进行研究。发现薄膜厚度与涂布液粘度、提拉速度成对数线性关系。膜厚与提拉速度的关系式为t≈u^0.62。XRD、IR测试表明经过400℃煅烧，PVA已经完全排除。SEM照片表明薄膜形貌平整，光亮，从而为该种材料制作实用的气敏元件打下了良好的基础。