HEMT器件相关论文
GaN基材料具有直接带隙、禁带宽、光吸收系数大、抗辐射及耐高温等优良的物理和化学特性,非常适合制备高性能的光电探测器或者电子......
GaN作为典型的第三代半导体材料，具有禁带宽度大、击穿电压高、耐高温及抗辐照等优点。尤其是其与AlGaN材料制作的高电子迁移率晶体......
GaN材料具有禁带宽度大、击穿电场高、电子迁移率高和热导率高等优势，在微波高功率领域有着极大的应用潜力。目前，以AlGaN/GaN异质结......
主要针对高速光纤通信系统中调制器驱动电路HEMTIC设计开展研究。着重讨论了PHEMT器件阈值电压、特征频率对外调制驱动电路特性的......
宽带隙GaN基材料具有临界击穿场强高、峰值电子漂移速度高以及抗腐蚀、耐高温等优异的物理、化学性质，是研制高性能的固态毫米波器......
为研究AlxGa1-xN势垒层的厚度和Al组分变化对增强型HEMT器件电学特性的影响,文中使用ATLAS软件,利用二元有限元方法,设计了带AlGaN......
基于Si衬底AlGaN/GaN HEMT器件的功率放大器链是下一代S波段相控阵雷达T/R组件的核心部分。研制的S波段放大器链主要由驱动放大器......
近些年来,随着时代经济的飞速发展以及科技的进步,GaN材料不仅仅有着较高的饱和电子迁移速度,同时也有着较高的击穿场强。对于GaN......
射频集成前端在无线通信、军用雷达、能源探测,生物医疗,安全防护,空间遥感以及天文观测等领域有着广泛的应用。随着微波低频段频......
以强电磁脉冲为典型代表的复杂电磁环境对雷达前端关键模块与器件的可靠性不断构成威胁。本文对雷达前端电路中低噪声放大器的关键......
介绍了X波段低温低噪声放大器的设计和实验结果。该放大器采用HEMT器件三级级联，频率范围为8500MHz～8850MHz，在环境温度大约20K的环境......
