外加太赫兹场与磁场作用下的高电子迁移率晶体管电流特性

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:cjian024156
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外加太赫兹(THz)场垂直入射高电子迁移率晶体管(HEMT),使得HEMT中产生的载流子激发沟道内的等离子振荡,振荡频率处于太赫兹范围.论文研究了外加磁场对该器件电流特性的影响.结果表明,随着外加磁场强度的增加,HEMT的响应率峰值发生蓝移.因此通过改变磁场能够对HEMT的振荡响应实现有效调谐.
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