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提高LDMOS的一个关键步骤是加场极板以降低其表面击穿电压.文中分析了加场极板后的LDMOS击穿电压模式,指出了场极板的分压作用和场极板边界的影响,得到了其击穿电压的计算公式并用实验验证了公式的正确性.
高压功率LDMOS的场极板击穿电压分析
【摘 要】
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提高LDMOS的一个关键步骤是加场极板以降低其表面击穿电压.文中分析了加场极板后的LDMOS击穿电压模式,指出了场极板的分压作用和场极板边界的影响,得到了其击穿电压的计算公
【机 构】
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安徽大学电子工程系,东南大学ASIC工程技术中心
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2005年1期
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