【摘 要】
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垂直通孔引线是圆片级封装方法的关键技术之一。针对玻璃衬底垂直通孔引线技术,本文就通孔引线寄生电容开展了研究。首先,利用Ansoft Maxwell 3D对其寄生电容进行了建模和模
【机 构】
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中北大学电子与计算机科学技术学院,北京大学微电子学研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室,
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垂直通孔引线是圆片级封装方法的关键技术之一。针对玻璃衬底垂直通孔引线技术,本文就通孔引线寄生电容开展了研究。首先,利用Ansoft Maxwell 3D对其寄生电容进行了建模和模拟仿真,研究了不同通孔底面直径(d)、玻璃衬底厚度(t)和通孔中心间距(g)的影响。其次,基于微加工工艺,制备了圆片级玻璃衬底的垂直通孔引线样品。最后,对实验加工样品电容进行测试,并与模拟结果进行了比较与分析。
Vertical through-hole leads are one of the key technologies in wafer-level packaging. Aiming at the vertical via lead of glass substrate, this paper studies the parasitic capacitance of via lead. Firstly, the parasitic capacitances of Ansoft Maxwell 3D were modeled and simulated. The effects of the diameter of the bottom of the through-hole (d), the thickness of the glass substrate (t) and the center distance of the through-hole (g) were studied. Secondly, based on the micro-fabrication process, vertical through-hole lead samples of wafer-level glass substrates were prepared. Finally, the capacitance of experimental sample is tested and compared with the simulation results.
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