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报道了用MBE的方法,在ZnCdTe衬底上制备HgCdTe薄膜的位错密度研究结果.研究发现HgCdTe材料的位错密度与ZnCdTe衬底的表面晶体损伤、HgCdTe生长条件以及材料组分密切相关.通过衬底制备以及生长条件的优化,在ZnCdTe衬底上生长的长波HgCdTe材料EPD平均值达到4.2×105 cm-2,标准差为3.5×105 cm-2,接近ZnCdTe衬底的位错极限.可重复性良好,材料位错合格率为73.7%.可以满足高性能HgCdTe焦平面探测器对材料位错密度的要求.