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在考虑材料热膨胀系数随温度变化后，采用有限元方法结合ANSYS软件对Si／GaAs键合热应力进行了分析，研究了普通应力、轴向应力和剪切力的分布云图和沿界面的分布．同时提出了新的键合结构以减小热应力的影响，计算结果证明了该结构的有效性．
用有限元方法分析Si／GaAs的键合热应力
【摘 要】
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在考虑材料热膨胀系数随温度变化后，采用有限元方法结合ANSYS软件对Si／GaAs键合热应力进行了分析，研究了普通应力、轴向应力和剪切力的分布云图和沿界面的分布．同时提出了新的键
【机 构】
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中国科学院半导体研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2006年11期
【基金项目】
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国家重点基础研究发展规划资助项目（批准号：2003cB314902）
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