【摘 要】
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研究了适用于GaAs离子注入材料的石墨红外快速热退火方法,对Si~+注入GaAs材料进行950℃,6秒快速退火。从测得的电学特性,DLTS和GaAs MESFET的研究结果表明,红外快速热退火工
【机 构】
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上海交通大学LSI研究中心,上海交通大学LSI研究中心,上海交通大学LSI研究中心,上海交通大学LSI研究中心
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研究了适用于GaAs离子注入材料的石墨红外快速热退火方法,对Si~+注入GaAs材料进行950℃,6秒快速退火。从测得的电学特性,DLTS和GaAs MESFET的研究结果表明,红外快速热退火工艺可获得高质量的有源层以及抑制电子陷阱EL2的外扩散。
The graphite infrared rapid thermal annealing method suitable for GaAs ion implantation material was studied and the Ga ~ + implanted Si ~ + was rapidly annealed at 950 ℃ for 6 seconds. From the measured electrical characteristics, the results of the DLTS and GaAs MESFETs show that the IR thermal annealing process achieves high quality active layers and suppresses the outer diffusion of the electron trap EL2.
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