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对OLED器件施加扫描电压时，器件的瞬态电压-电流特性表现出滞后现象。并且随着扫描电压的方向、扫描速度的不同，器件瞬态电压-电流曲线也不相同。使用具有ITO／CuPc／NPD／Alq3／LiF／Al结构的OLED器件做电压扫描测试，并尝试用p型深受主型陷阱能级的存在，以及深能级较长的充放电时间特性对OLED器件中载流子输运过程的影响来定性解释上述滞后现象，获得了比较满意的结果，为器件性能的进一步优化找到了方向。