【摘 要】
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回顾了氮化镓(GaN)基异质结场效应晶体管(HFET)的发展,概述了它的直流和微波特性。制作氮化镓基HFET可以采用不同的器件结构,不同的结构有各自的优点,对器件性能有很大影响。多
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回顾了氮化镓(GaN)基异质结场效应晶体管(HFET)的发展,概述了它的直流和微波特性。制作氮化镓基HFET可以采用不同的器件结构,不同的结构有各自的优点,对器件性能有很大影响。多数器件采用了其中两种比较成熟的结构,文中对这两种结构进行了讨论。
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