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小尺寸ＭＯＳ器件参量具有很强的分布效应，需要二维模型描述，本文从ｙ截面流函数方程求解获得了ＭＯＳ器件中的沟道电流和衬底电流二维分布解析模型，模型是横向场Ｅｒ（ｙ）和纵向场Ｅｘ（ｙ）的函数，二维分布模型截有较充分的物理过程，可以基本反映电流密度的实际分布，模型可应用于与电流路径相关的ＭＯＳ器件特性的研究，特别重要的应用领域是ＭＯＳ热载流子可靠性电子学中的栅电流分布建模，选和深亚微米ＭＯＳ器件的横向场