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摘 要：针对目前不同类型FPGA要求的位元电路不一致现象，提出了一种通用的FPGA位元电路，该位元电路不仅适用于任意结构的反熔丝/熔丝FPGA，还可以单独的存储1和0，对反熔丝/熔丝熔通后的电阻特性也没有具体要求。
关键词：现场可编程逻辑门阵列；反熔丝；位元电路；逻辑模块
FPGA(Field Programmable Gate Array)，即现场可编程逻辑门阵列，是当今集成电路半定制设计中的重要组成部分，具有结构灵活，功能完善，集成度高，设计周期短的特点，受到了越来越多的用户的欢迎；并且随着集成电路工艺制程的不断更新，FPGA的速度也得到了极大的提高。FPGA一般分为反熔丝型、EPROM型及SRAM型。
基于Flash的FPGA一般需要采用特殊的结构，造价很高；基于SRAM的FPGA器件虽然不需要特殊的工艺，可以用一般的CMOS工艺实现，但是这种FPGA的保密性及可靠性都不高；反熔丝/熔丝FPGA的保密性及可靠性都很高，市场上也有很多的反熔丝/熔丝结构，有些完全可以于CMOS工艺兼容。因此反熔丝/熔丝FPGA具有很好的发展前景。
在反熔丝/熔丝FPGA中，反熔丝/熔丝结构对FPGA的性能至关重要，这些反熔丝/熔丝结构击穿后的电阻特性不一致，大至10K欧姆，小的只有几欧姆，因此基于反熔丝/熔丝结构的位元电路需要单独设计。在本论文中提出的这种位元电路对反熔丝/熔丝结构击穿后的电阻没有特殊要求，因此具有重复利用性。因为篇幅有限，在此只叙述此位元电路在反熔丝FPGA中的应用，此位元电路可以完全应用到熔丝FPGA中。
1 新型反熔丝/熔丝位元电路
反熔丝/熔丝位元电路是控制反熔丝/熔丝完成逻辑编程的电路，图1所示是反熔丝位元电路，实框中是反熔丝存储单元电路图，该存储单元可以单独的存储0和1。写状态时加编程高压，让其中一个反熔丝电容熔通为一个小电阻，另一个反熔丝电容保持原状态；读取时，在熔通电容一端加电源电压，通过熔通后的小电阻传输高电平，完成1的存储；在熔通电容一端加低电平，通过熔通后的小电阻传输低电平，完成0的存储。可见位元电路输出高低电平是根据节点电压的变化来判断，与节点电流没有关系，因此对击穿后的电阻特性没有特殊要求。
对于熔丝位元电路只需将反熔丝结构换成熔丝结构，写状态时加编程高压，让其中一个熔丝熔断，另一个熔丝保持常态；读取时，在保持常态的熔丝一端加电源电压，通过熔丝传输高电平，完成1的存储，在保持常态的熔丝一端加低电平，通过熔丝传输低电平，完成0的存储。
图1的框外是一个MOS管，此MOS管是作为开关用的，当data输出0时，此开关关闭，X0与Y0断开，当data输出1时，此开关打开，X0与Y0实际上是连在一起的，此时从X0输入信号，Y0的输出信号即为X0。
2 反熔丝位元电路的写入过程
如图1所示，每个反熔丝存储结构包括两个反熔丝C1、C2，高压管M1、M2以及一个起编程控制作用的或非门。反熔丝采用MOS管做电容，利用栅氧击穿来熔通。或非门的两端分别接在行译码(WL)和列译码(BL)上，当反熔丝存储结构工作在编程模式的时候，WL、BL端同时输入低电平，通过或非门输出高电平，使高压管M1处于开启状态，这样就使反熔丝电容的一端接地；同时PRG_OEM端接低电平关断，以保护后面的普通管不受编程高压的影响。
此时在PRG_VDD端加编程高压(0.35μm工艺为15V)，PRG_GND端加低压信号，则C1两端由于电压差很大(15V)，被烧断，C2两端的电压相同，仍保持原来的状态，称处于该状态的反熔丝存储结构为状态一，如图2所示。相反的，当PRG_VDD端加低电压，PRG_GND端加编程高电压时，C2两端电压差达到15V，被烧断，C1两端电压基本相同，保持原来的状态，我们称处于该状态的反熔丝存储结构为状态二，如图2所示。
编程完成后，使或非门输入端的WL、BL信号都为高电平，M1处于关断状态，PRG_OEM端接高电平，M2管打开，这时电路可以简化为图2。状态一中，当PRG_VDD加电源电压(一般为5V)，data输出高电平1，即状态一可以存储1；状态二中，当PRG_GND加低电压，data输出低电平，即状态二可以存储0。
在该反熔丝存储单元中使用两个电容而不用一个的原因是：如果只采用一个反熔丝，当存储0时，其一定不能加高压编程，即反熔丝不能被烧断，这就会出现M3管的栅极的电平不能确定的情况发生。
3 反熔丝位元电路的读出过程
图2所示是编程后的反熔丝位元电路，当反熔丝位元电路工作在读取状态时，PRG_VDD接高电平(电源电压，一般为5V)，PRG_GND接低电平。此时，状态一(即存储1状态)中，由于C1原来的位置已经被烧断而变成了一个电阻，所以data输出1，M3管的栅极上面处于高电平状态，M3被导通，X和Y 连在了一起。在状态二(即存储0状态)中，由于C2被烧断而变成了一个电阻，但是高电平却由于C1的阻挡而不能向下传输，因此data输出0，M3的栅极处于低电平状态，M3管关断，X和Y没有连在一起。
此反熔丝位元电路具有普遍性，对于目前市场上的反熔丝型FPGA结构基本都可以适用。图2中M3开关管的存在，是为了使下面叙述的基于LB结构的FPGA容易布線，在必要的时候可以省略。
4 应用实例
在图3的FPGA电路中，LB采用Actel熔丝型FPGA中采用的逻辑单元，空心圆圈和实心圆圈均代表一个图1所示的反熔丝位元电路，由LB引出的长纵線是将LB上半部分六个反熔丝位元电路中的Y端和下半部分六个反熔丝位元电路中的Y端连接在一起，引線标号为0—11的横線是将反熔丝位元电路的X端连在一起。由外部IO引出的短纵線是为了让外接逻辑信号进入指定模块。引線标号为3--8的横線上没有纵線连接的反熔丝位元电路(实心圆圈代表的反熔丝位元电路)，是为了让左右两面的反熔丝位元电路的X端连接在一起的，当其烧通后，其左右两端的反熔丝变连接在一起了，此种位元电路一般称为可编程分离开关。可编程开关的存在可以减少横線数量，优化布線。最后剩下的标有VCC或CLK或GND的横線，处于这几行上面的反熔丝位元电路，是为反熔丝位元电路提供读取时的电平。
简单工作原理以该FPGA实现一个非门逻辑为例，完成非门的逻辑功能，只需要一个LB模块即可，其工作部分如图3中虚線框中电路。LB各端口A0、B0、SA、S0、A1、B1、SB和S1所加信号分别为10A10001，按照各信号对相应反熔丝编程，需要编程的反熔丝标识为图3中的虚線表示的空心圆圈。编程完成后，使这些空心圆圈代表的反熔丝位元电路中的X与Y端连在一起，如图2中的状态一所示。此时再加VDD、GND及输入信号A，高电平1和低电平0的输入只需熔通长横線VDD和GND上的反熔丝位元，VDD及GND从反熔丝位元的X端输入，Y端将X端信号传输到LB模块。例如A0需要为高电平，只需熔通反熔丝位元1。A信号的输入从任一个I/O端进入即可，图3中选择上半部分I/O端口，A信号进入反熔丝位元2的Y端，反熔丝位元2的X端将其Y端的A信号传到反熔丝位元3的X端，反熔丝位元3的Y端将其X端信号A传到LB模块。输出信号OUT可从任一个I/O端输出，原理同A信号的输入一样，可以选择下半部分的3条短横線(有可编程分离位元的横線)任意一条上的2个反熔丝位元输出，此输出信号即为A信号的取反信号。
5 结束语
本文提出的新型反熔丝/熔丝位元电路可以单独的存储0和1，对反熔丝/熔丝击穿后的电阻特性没有特殊要求，因此对于市场上存在的反熔丝/熔丝FPGA基本都可以适用，所以此位元电路拥有大规模应用的可能。
参考文献
[1] 彭泽忠.利用超薄介质击穿现象半导体存储器单元和存储器阵列.中国，CN1351381A[P].2002-5-29.
[2] 北京时代民芯科技有限公司.抗辐照加固PFGA芯片中抗单粒子翻转的存储单元电路.中国.CN101552034A[P].2009-10-7.
[3] 于宗光、黄卫.超薄氧化层的击穿特性[J].微电子技术，2009，125(27)：20-24.
[4] 深圳市国微电子股份有限公司.一种反熔丝型PROM.中国.CN101944388A[P].2011-01-12.
[5] Zhao Yi，Wan Xinggong，Xu Xiangming，Cao Gang and Bu Jiao. Breakdown Voltage and Charge to Breakdown Investigation of Gate Oxide of 0. 18μm Dual Gate CMOS Process with Different Measurement Methods[J].半导体学报，2006，27(2)：290-293.
作者简介
李曼，电子科技大学微电子与固体电子学院微电子学与固体电子学专业在读硕士，研究方向为抗辐照反熔丝存储器。
关键词：现场可编程逻辑门阵列；反熔丝；位元电路；逻辑模块
FPGA(Field Programmable Gate Array)，即现场可编程逻辑门阵列，是当今集成电路半定制设计中的重要组成部分，具有结构灵活，功能完善，集成度高，设计周期短的特点，受到了越来越多的用户的欢迎；并且随着集成电路工艺制程的不断更新，FPGA的速度也得到了极大的提高。FPGA一般分为反熔丝型、EPROM型及SRAM型。
基于Flash的FPGA一般需要采用特殊的结构，造价很高；基于SRAM的FPGA器件虽然不需要特殊的工艺，可以用一般的CMOS工艺实现，但是这种FPGA的保密性及可靠性都不高；反熔丝/熔丝FPGA的保密性及可靠性都很高，市场上也有很多的反熔丝/熔丝结构，有些完全可以于CMOS工艺兼容。因此反熔丝/熔丝FPGA具有很好的发展前景。
在反熔丝/熔丝FPGA中，反熔丝/熔丝结构对FPGA的性能至关重要，这些反熔丝/熔丝结构击穿后的电阻特性不一致，大至10K欧姆，小的只有几欧姆，因此基于反熔丝/熔丝结构的位元电路需要单独设计。在本论文中提出的这种位元电路对反熔丝/熔丝结构击穿后的电阻没有特殊要求，因此具有重复利用性。因为篇幅有限，在此只叙述此位元电路在反熔丝FPGA中的应用，此位元电路可以完全应用到熔丝FPGA中。
1 新型反熔丝/熔丝位元电路
反熔丝/熔丝位元电路是控制反熔丝/熔丝完成逻辑编程的电路，图1所示是反熔丝位元电路，实框中是反熔丝存储单元电路图，该存储单元可以单独的存储0和1。写状态时加编程高压，让其中一个反熔丝电容熔通为一个小电阻，另一个反熔丝电容保持原状态；读取时，在熔通电容一端加电源电压，通过熔通后的小电阻传输高电平，完成1的存储；在熔通电容一端加低电平，通过熔通后的小电阻传输低电平，完成0的存储。可见位元电路输出高低电平是根据节点电压的变化来判断，与节点电流没有关系，因此对击穿后的电阻特性没有特殊要求。
对于熔丝位元电路只需将反熔丝结构换成熔丝结构，写状态时加编程高压，让其中一个熔丝熔断，另一个熔丝保持常态；读取时，在保持常态的熔丝一端加电源电压，通过熔丝传输高电平，完成1的存储，在保持常态的熔丝一端加低电平，通过熔丝传输低电平，完成0的存储。
图1的框外是一个MOS管，此MOS管是作为开关用的，当data输出0时，此开关关闭，X0与Y0断开，当data输出1时，此开关打开，X0与Y0实际上是连在一起的，此时从X0输入信号，Y0的输出信号即为X0。
2 反熔丝位元电路的写入过程
如图1所示，每个反熔丝存储结构包括两个反熔丝C1、C2，高压管M1、M2以及一个起编程控制作用的或非门。反熔丝采用MOS管做电容，利用栅氧击穿来熔通。或非门的两端分别接在行译码(WL)和列译码(BL)上，当反熔丝存储结构工作在编程模式的时候，WL、BL端同时输入低电平，通过或非门输出高电平，使高压管M1处于开启状态，这样就使反熔丝电容的一端接地；同时PRG_OEM端接低电平关断，以保护后面的普通管不受编程高压的影响。
此时在PRG_VDD端加编程高压(0.35μm工艺为15V)，PRG_GND端加低压信号，则C1两端由于电压差很大(15V)，被烧断，C2两端的电压相同，仍保持原来的状态，称处于该状态的反熔丝存储结构为状态一，如图2所示。相反的，当PRG_VDD端加低电压，PRG_GND端加编程高电压时，C2两端电压差达到15V，被烧断，C1两端电压基本相同，保持原来的状态，我们称处于该状态的反熔丝存储结构为状态二，如图2所示。
编程完成后，使或非门输入端的WL、BL信号都为高电平，M1处于关断状态，PRG_OEM端接高电平，M2管打开，这时电路可以简化为图2。状态一中，当PRG_VDD加电源电压(一般为5V)，data输出高电平1，即状态一可以存储1；状态二中，当PRG_GND加低电压，data输出低电平，即状态二可以存储0。
在该反熔丝存储单元中使用两个电容而不用一个的原因是：如果只采用一个反熔丝，当存储0时，其一定不能加高压编程，即反熔丝不能被烧断，这就会出现M3管的栅极的电平不能确定的情况发生。
3 反熔丝位元电路的读出过程
图2所示是编程后的反熔丝位元电路，当反熔丝位元电路工作在读取状态时，PRG_VDD接高电平(电源电压，一般为5V)，PRG_GND接低电平。此时，状态一(即存储1状态)中，由于C1原来的位置已经被烧断而变成了一个电阻，所以data输出1，M3管的栅极上面处于高电平状态，M3被导通，X和Y 连在了一起。在状态二(即存储0状态)中，由于C2被烧断而变成了一个电阻，但是高电平却由于C1的阻挡而不能向下传输，因此data输出0，M3的栅极处于低电平状态，M3管关断，X和Y没有连在一起。
此反熔丝位元电路具有普遍性，对于目前市场上的反熔丝型FPGA结构基本都可以适用。图2中M3开关管的存在，是为了使下面叙述的基于LB结构的FPGA容易布線，在必要的时候可以省略。
4 应用实例
在图3的FPGA电路中，LB采用Actel熔丝型FPGA中采用的逻辑单元，空心圆圈和实心圆圈均代表一个图1所示的反熔丝位元电路，由LB引出的长纵線是将LB上半部分六个反熔丝位元电路中的Y端和下半部分六个反熔丝位元电路中的Y端连接在一起，引線标号为0—11的横線是将反熔丝位元电路的X端连在一起。由外部IO引出的短纵線是为了让外接逻辑信号进入指定模块。引線标号为3--8的横線上没有纵線连接的反熔丝位元电路(实心圆圈代表的反熔丝位元电路)，是为了让左右两面的反熔丝位元电路的X端连接在一起的，当其烧通后，其左右两端的反熔丝变连接在一起了，此种位元电路一般称为可编程分离开关。可编程开关的存在可以减少横線数量，优化布線。最后剩下的标有VCC或CLK或GND的横線，处于这几行上面的反熔丝位元电路，是为反熔丝位元电路提供读取时的电平。
简单工作原理以该FPGA实现一个非门逻辑为例，完成非门的逻辑功能，只需要一个LB模块即可，其工作部分如图3中虚線框中电路。LB各端口A0、B0、SA、S0、A1、B1、SB和S1所加信号分别为10A10001，按照各信号对相应反熔丝编程，需要编程的反熔丝标识为图3中的虚線表示的空心圆圈。编程完成后，使这些空心圆圈代表的反熔丝位元电路中的X与Y端连在一起，如图2中的状态一所示。此时再加VDD、GND及输入信号A，高电平1和低电平0的输入只需熔通长横線VDD和GND上的反熔丝位元，VDD及GND从反熔丝位元的X端输入，Y端将X端信号传输到LB模块。例如A0需要为高电平，只需熔通反熔丝位元1。A信号的输入从任一个I/O端进入即可，图3中选择上半部分I/O端口，A信号进入反熔丝位元2的Y端，反熔丝位元2的X端将其Y端的A信号传到反熔丝位元3的X端，反熔丝位元3的Y端将其X端信号A传到LB模块。输出信号OUT可从任一个I/O端输出，原理同A信号的输入一样，可以选择下半部分的3条短横線(有可编程分离位元的横線)任意一条上的2个反熔丝位元输出，此输出信号即为A信号的取反信号。
5 结束语
本文提出的新型反熔丝/熔丝位元电路可以单独的存储0和1，对反熔丝/熔丝击穿后的电阻特性没有特殊要求，因此对于市场上存在的反熔丝/熔丝FPGA基本都可以适用，所以此位元电路拥有大规模应用的可能。
参考文献
[1] 彭泽忠.利用超薄介质击穿现象半导体存储器单元和存储器阵列.中国，CN1351381A[P].2002-5-29.
[2] 北京时代民芯科技有限公司.抗辐照加固PFGA芯片中抗单粒子翻转的存储单元电路.中国.CN101552034A[P].2009-10-7.
[3] 于宗光、黄卫.超薄氧化层的击穿特性[J].微电子技术，2009，125(27)：20-24.
[4] 深圳市国微电子股份有限公司.一种反熔丝型PROM.中国.CN101944388A[P].2011-01-12.
[5] Zhao Yi，Wan Xinggong，Xu Xiangming，Cao Gang and Bu Jiao. Breakdown Voltage and Charge to Breakdown Investigation of Gate Oxide of 0. 18μm Dual Gate CMOS Process with Different Measurement Methods[J].半导体学报，2006，27(2)：290-293.
作者简介
李曼，电子科技大学微电子与固体电子学院微电子学与固体电子学专业在读硕士，研究方向为抗辐照反熔丝存储器。