【摘 要】
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设计了一种应用于静态随机存储器(SRAM)读数据过程中的电压型灵敏放大器(SA).与传统交叉耦合结构SA相比,增加了由NMOS管构成的第二级交叉放大电路及由上拉和下拉电路组成的输
【机 构】
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江南大学电子工程系,中国电子科技集团公司第五十八研究所
【基金项目】
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Fundamental Research Funds for the Central Universities(JUSRP51510),Summit of the Six Top Talents Program of Jiangsu Province(2013-DZXX-027),Postgraduate Research&Practice Innovation Program of Ji
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设计了一种应用于静态随机存储器(SRAM)读数据过程中的电压型灵敏放大器(SA).与传统交叉耦合结构SA相比,增加了由NMOS管构成的第二级交叉放大电路及由上拉和下拉电路组成的输出电路.改进的结构能在快速而且高增益地放大位线上电压差的同时,改善灵敏度低的问题,确保了SRAM在不工作时数据输出端口的输出不受内部干扰.仿真结果表明,与传统结构相比,本设计减少了为确保输出节点全摆幅而所需的95%的位线上电压,同时在相同差分电压输入的情况下,响应时间减少了80%.
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