MgS和MgSe带隙的GW近似修正(英文)

来源 :原子与分子物理学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:jj2653026
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应用基于密度泛函理论下的局域密度近似(DFT-LDA)方法研究了岩石矿结构的MgS和MgSe的晶体结构和能带结构.本文得到稳定结构的晶格常数与已知实验数据相吻合,MgS和MgSe都是间接带隙半导体且带隙值分别为2.74 eV和1.70 eV.尽管本文利用LDA计算的带隙值与之前的理论值很接近,但是局域密度近似常常低估带隙值.因此应用准粒子GW(G是格林函数,W是库伦屏蔽相互作用)近似对MgS和MgSe的带隙值进行了修正,其结果分别为4.15 eV和2.74 eV.GW近似的结果应该是合适的值.
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