【摘 要】
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采用半导体激光器(LD)单端泵浦Nd:GdVO4晶体,在谐振腔内同时利用声光器件、Cr4+:YAG晶体和KTP晶体,实现532nm内腔倍频双调Q绿光运转。当泵浦功率为7.7W,重复频率为10kHz时,获
【机 构】
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北京交通大学光电子技术研究所,发光与光信息技术教育部重点实验室,
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采用半导体激光器(LD)单端泵浦Nd:GdVO4晶体,在谐振腔内同时利用声光器件、Cr4+:YAG晶体和KTP晶体,实现532nm内腔倍频双调Q绿光运转。当泵浦功率为7.7W,重复频率为10kHz时,获得最短脉冲宽度为24ns,单脉冲能量为32.4μJ及相应峰值功率为1.35kW的激光脉冲。
A single-ended pumped Nd: GdVO4 semiconductor laser diode (LD) was used to realize 532 nm double-frequency Q-switched double-pass Q green operation in acousto-optic resonator using both acousto-optical devices, Cr4 +: YAG crystals and KTP crystals. When the pump power is 7.7W and the repetition frequency is 10kHz, the laser pulse with the shortest pulse width of 24ns, the single pulse energy of 32.4μJ and the corresponding peak power of 1.35kW is obtained.
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