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在真空环境下,首次利用固态化学置换反应制备了K(TCNQ)薄膜,其分子结构与已报道过的K(TCNQ)单晶、多晶相同.但不同的是,在300 K以上,K(TCNQ)薄膜具有可逆的双稳特性.因此预计在光电开关和电双稳存储器方面具有广泛的应用前景.
K（TCNQ）薄膜的制备及其电双稳特性
【摘 要】
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在真空环境下,首次利用固态化学置换反应制备了K(TCNQ)薄膜,其分子结构与已报道过的K(TCNQ)单晶、多晶相同.但不同的是,在300 K以上,K(TCNQ)薄膜具有可逆的双稳特性.因此预计
【机 构】
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复旦大学材料科学系,复旦大学化学系
【出 处】
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真空科学与技术
【发表日期】
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2001年5期
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