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采用基于密度泛函理论的第一性原理计算了N、Al和P掺杂对Si在石墨烯上吸附的影响。结果表明:N掺杂石墨烯为n型掺杂,提高了石墨烯体系的导电性;N、P原子掺杂比Al掺杂石墨烯容易;杂质类型对Si在石墨烯上的吸附位置有显著的影响;Al、P掺杂增强了Si在石墨烯上的吸附, N掺杂对Si在石墨烯上吸附的影响很小;Si吸附在N-graphene、P-graphene体系具有磁性,Si吸附Al-graphene体系磁矩为零,不显示磁性。