ZnSeTe/ZnSe量子阱中Te等电子陷阱的静压光子发光谱研究

来源 :红外与毫米波学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:gamebugs2009
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测量了ZnSe0.92Te0.08/ZnSe超晶格量子阱材料在77K时0~7.8GPa静压下的光致发光谱.观察到ZnSe0.92Te0.08阱层中Te等电子陷阱上的束缚激子发光,发现它的压力系数比ZnSe带边发光的压力系数小约50%,表明Te等电子陷阱对激子的束缚势是相当局域的.还观察到了激子在ZnSe0.92Te0.08阱层中的Te等电子陷阱能级与相邻(CdSe)1/(ZnSe)3短周期超晶格之间的转移现象.
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