硒化锌相关论文
为了满足光电设备窗口片的使用要求，设计了一种以硒化锌为基底的多波段红外增透膜。为了达到多波段增透的目的，选取硫化锌、氟化镱分......
纳米材料是指在三维空间中具有至少一维尺寸为1-100纳米（nm）的超微粒材料。其因尺寸和形状与块状物体有很大的不同,具有量子限域效应......
比色传感和光电化学传感的概念自提出以来受到了广泛关注。近年来,通过将先进的纳米技术、界面组装方式和多样的识别反应相结合,比......
半导体纳米粒子的合成已经经历了30多年的发展,它们的合成逐渐变得成熟,在日常工业和实际应用中开始崭露头角。II-VI族半导体纳米......
采用雾化施液化学机械抛光(CMP)的方法, 以材料去除速率和表面粗糙度为评价指标, 选取最适合硒化锌抛光的磨料, 通过单因素实验对......
以谷胱甘肽(GSH)为稳定剂,在水相中合成了高荧光的硒化锌量子点(ZnSe QDs).实验发现,农药敌磺钠能显著猝灭ZnSe QDs的荧光,同时采......
中波红外激光器在痕迹量气体检测、激发惰性气体产生软硬X射线辐射、激光定向干扰等方面具有重要应用价值。华北光电技术研究所采......
日本东芝公司开发第二代的具有世界上最高亮度的蓝绿色LED。使用硒化锌,发光波长为500nm,减少了波长模糊现象,能发出单色性非常好......
石墨烯是由单层碳原子构成的新型二维晶体材料，也是目前世界上最薄却又最坚硬的纳米材料。石墨烯具有优秀的电学，力学和热学性能，以及......
半导体纳米粒子具有比体材料大得多的三阶非线性极化率。随着纳米粒子尺寸的减小，量子限域效应会明显的影响到纳米粒子的三阶非线性......
低维纳米材料因其在光学、电学、力学展现出的独特性能,已经引起了众多学者的极大关注。而如何实现对纳米材料形貌、尺寸的有效控......
纳米晶太阳能电池(NPC)以及极薄吸附层太阳能电池(ETA)以其工艺简单,成本低廉等优势成为太阳能电池领域的研究热点。本文综述了各......
本文采用化学气相沉积法，分别以过渡族金属镍等的硝酸盐、硒化物、硫化物作为催化剂，探讨了低成本制备ZnM(M=O，Se，S)纳米线/针、四脚结......
ZnE(E=S，Se，Te)都是宽禁带、直接带隙的Ⅱ-Ⅵ族半导体化合物材料，具有优异的光电及光电转化等特性，在光学器件、太阳能电池、压电材料......
近年来,纳米半导体材料由于其独特的光、电性能,一直是十分活跃的研究领域。如何实现对纳米半导体材料形貌的有效控制是现如今困扰......
碳材料与储锂纳米材料的复合是提高锂离子电池电极材料电化学性能的主要趋势，本文首先针对硒基纳米复合材料硒化锌进行了系统深入的......
电致发光(EL)是一种直接将电能转换成光能的显示技术。从性能上说，它能适用于各种场合的显示要求，它的主动发光，平板化，宽视角，工作温度......
ZnSe和ZnS是制作光电仪器、半导体激光器以及发光二极管很常用的半导体材料。虽然它们在技术方面已得到广泛的应用，在高压下的性质......
自21世纪初,新型纳米材料的合成和应用已经取得了巨大的进步,这些材料正在迅速地进入到我们的日常生活当中。纳米粒子独特的性质,......
双光子光学非线性是非线性光子学中的重要内容，由于双光子光学非线性独特的作用机理，使其在光学测量，光限幅，三维光学信息存储，三维光学......
利用分子束外延(MBE)技术,以5N的ZnCl2作为掺杂源,在半绝缘GaAs(001)衬底上异质外延生长ZnSe∶Cl单晶薄膜。研究发现,掺入ZnCl2后,......
期刊
采用物理气相输运法( PVT),以Cr2+∶ ZnSe多晶为原料,在源区温度约为1000℃、温差为6～7℃条件下生长2周,获得了体积约为0.7 cm3的Cr......
使用氯化锌(ZnCl2)和氯化铵(NH4Cl)制备了氯化锌铵(AZC,II型,ZnCl2.2NH4Cl)晶体。采用X射线粉末衍射(XRD)技术研究了ZnCl2与NH4Cl......
发展了一种新的ZnSe晶体气相生长输运剂Zn(NH4)3Cl5;用非等温TG-DTG技术,在5.0、10.0、15.0和20.0 ℃/min 4个不同线性升温条件下,......
采用液相合成法,实现了多晶硒化锌微米空心球的低温合成。通过扫描电镜选观察到直径在1～4μm左右的ZnSe多晶微米空心球体。用XRD（X射......
硒化锌是Ⅱ-Ⅵ族中重要的宽禁带半导体材料，其禁带宽度为2．7eV，是理想的蓝光探测器材料。准一维ZnSe纳米结构的合成有多种，如纳米带、......
通过简单的化学气相沉积方法，合成了硒化锌齿状纳米晶体结构，它具有统一、整齐的梳齿形貌作为纳米阵列。文章分析了齿状纳米结构的生......
激光波长是限制DVD记录密度提高的关键因素，研制短波长激光器是超高密度VD用光源的重要发展方向。这里介绍这种短波长蓝光激光器（如G......
用LP-MOCVD技术在GaAs衬底上外延生长了ZnCdSe／ZnSe非对称双量子阱(ADQW)结构。通过ps时间分辨光谱、吸收光谱、发射光谱等的研究得......
用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层Γ、X、L等特殊对称点导带底能量随压力的变化.结果表明,同Si......
考虑到真实超晶格系统的有限宽度会造成晶格的非周期性,我们修正了用来决定拉曼频移峰值位置的公式中的倒格矢一项.在线性驰豫应变......
采用溶胶凝胶工艺在室温合成含有Zn、Se成分和玻璃相成分的均匀透明凝胶,并通过CO还原气氛热处理,在凝胶玻璃中原位生长出ZnSe纳米......
综述了GaN和ZnSe两大系列半导体光电子器件的研究与发展现状 ,重点讨论了材料的生长方法 ,给出了器件发展的最高水平。......
本文利用硝酸锌作为锌源、硒粉作为硒源,采用水热法在不添加任何表面活性剂的情况下制备了ZnSe微米晶.利用差热（TG-DTA）分析仪、X射......
采用溶剂热法合成了ZnS和ZnSe纳米片.利用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）、X射线光电子能谱（XPS）、BET等测式......
采用溶剂热法合成前驱体ZnSe(en)0.5纳米片,再分别采用热分解和水热方法处理ZnSe(en)0.5制备ZnSe纳米片.利用X射线衍射(XRD)、扫描......
考虑压力对有效质量的影响,讨论电子迁移率随压力的变化,分别计算并比较了体ZnSe、ZnSe/GaAs外延层以及ZnSe/ZnS超晶格系统中电子......
采用热力学数值计算的方法，分析了ZnSe-12、H2、HC1和NH4Cl化学气相输运系统的特性．对比计算结果表明，ZnSe-NH4Cl系统具有压力高、输......
通过热蒸发的方法在镀金的硅衬底上得到了硒化锌（ZnSe）复合孪晶纳米带。利用透射电镜选区电子衍射（SAED）方法并结合明场像确定了ZnSe复......
测量了ZnSe0.92Te0.08/ZnSe超晶格量子阱材料在77K时0～7.8GPa静压下的光致发光谱.观察到ZnSe0.92Te0.08阱层中Te等电子陷阱上的束缚......
简述了单晶生长用ZnSe多晶料的制备方法。分别以颗粒状和粉末状的高纯单质Zn和Se为原料。采用元素直接合成法合成了ZnSe多晶料，分析......
以氢氧化钠、单质硒粉与4种不同锌盐为起始原料、EDTA为软模板荆，在190℃水热条件下合成了ZnSe半导体材料。采用X-射线粉末衍射（XRD）......
77K下首次观测到了来自ZnCdSe-ZnSe组合超晶格的受激发射过程。在组合超晶格中由于载流子转移过程的存在，受激发射出现在具有宽阱的......
采用准二维模型计及Ｚｎ１－ｘＣｄｘＳｅ／ＺｎＳｅ半导体异质结界面附近的能带弯曲效应，讨论了异质结界面极化子的基态能量，能效质量随电子面密度以及Ｃｄ组份的变化关......
