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用LP-MOCVD技术在GaAs衬底上外延生长了ZnCdSe／ZnSe非对称双量子阱(ADQW)结构。通过ps时间分辨光谱、吸收光谱、发射光谱等的研究得到了如下的结果：在弱激发下，观测到ADQW结构中的激子隧穿现象；在强激发下，在ADQW结构中发现了一个内建电场，它将影响激子隧穿；首次观测到由激子隧穿引起的在一定温度范围内宽阱的发光温度随温度上升而增加的现象；首次观测到该ADQW结构中来自宽阱的光泵受激发射。