第三代半导体的蓬勃发展使得氮化镓（GaN）以其特殊的结构特性、电学特性以及光学特性成为当前研究的热点。近年来GaN基相关器件的发展......

氮化镓（GaN）是一种具有直接带隙结构的Ⅲ族氮化物半导体,有较宽的禁带宽度（Eg=3.39 eV）、良好的热稳定性以及较高的电子迁移率等特性,......

近年来,类石墨烯层状二维(2D)材料二硫化钼(MoS_2)由于具有良好的光电性质和机械性能引起了人们的广泛关注,有望成为开发下一代微......

氮化镓（GaN）是第三代半导体材料的代表,具有宽带隙、高击穿场强、高电子迁移率、化学稳定性好等优点,在光电器件和电子器件中展现出......

Ⅲ-Ⅴ族的氮化物（GaN、AlN、InN）作为复合型的纤锌矿结构,能够形成相连接续的合金系统(InxGa1-x-x N和AlxGa1-x-x N),因此通过对其合......

为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7......

通过在自制的电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积 (ECR -PEMOCVD)系统上装配反射高能电子衍射仪 (RHEED) ,对外延GaN......