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太赫兹技术的不断发展和在各个领域的进一步应用，对碲化锌（ZnTe）电光晶体提出越来越高的要求。采用Te溶剂法生长碲化锌晶体，可以有效降......
近年来，半导体材料生长技术的不断进步和对半导体器件发展要求的不断提高，极大地推动了化合物半导体材料的合成和器件开发等领域的研......
ZnE(E=S，Se，Te)都是宽禁带、直接带隙的Ⅱ-Ⅵ族半导体化合物材料，具有优异的光电及光电转化等特性，在光学器件、太阳能电池、压电材料......
在过去的十年中,具有高的纵横比的一维半导体纳米结构,如纳米线(NWs),纳米带(NRs),碳纳米管(NTs)和多支链结构,由于其新颖的物理和......
凝聚态光谱测量作为一种有效、无损的测量手段，被广泛应用于研究半导体材料和器件的性质。本文首先介绍了半导体中基本光学过程，同时......
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采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似(GGA)平面波超软赝势(PP-PW)方法,计算了闪锌矿型MTe (M=Zn/Mg)的几何结构、弹性性......
