【摘 要】
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据《Semiconductor FPD World》2007年第8期报道,东芝公司成功开发了高速、大容量无线通信应用的60GHz毫米波CMOS器件。毫米波通信IC过去通常采用GaAs等高频专用的半导体材料
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据《Semiconductor FPD World》2007年第8期报道,东芝公司成功开发了高速、大容量无线通信应用的60GHz毫米波CMOS器件。毫米波通信IC过去通常采用GaAs等高频专用的半导体材料,但问题是成本高。该公司采用90nm工艺的高集成和高性能优势,通过对信号品质的改善和内部噪声的控制。?
According to “Semiconductor FPD World” 2007 the 8th report, Toshiba Corporation successfully developed high-speed, high-capacity wireless communications applications 60GHz millimeter-wave CMOS devices. Millimeter-wave communications ICs typically used high-frequency semiconductor materials such as GaAs, but the problem is high cost. The company adopted the high integration and high performance of the 90nm process, with improved signal quality and internal noise control. ?
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