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相变存储（phase change memory，PCM），是一种新兴的非易失性计算机存储器技术，未来将能取代许多应用中的闪存。PCM要比闪存快得多，而且可靠性很高，达到10亿次写入循环，相比之下．闪存的每个区只能写入5000次。PCM还可以缩减到比闪存更小的尺度。本文就论述了PCM器件的技术基础，以及当前相应的特性测试方法。