【摘 要】
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本文介绍了一种基于0.5 μm GaAs 增强型pHEMT工艺的0.1-7GHz宽带低噪声放大器(LNA).该放大器采用一种基于共源、共栅结构的新型达林顿放大器结构,并结合有源偏置技术与负反
【机 构】
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成都嘉纳海威科技有限责任公司 四川 成都 610073
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本文介绍了一种基于0.5 μm GaAs 增强型pHEMT工艺的0.1-7GHz宽带低噪声放大器(LNA).该放大器采用一种基于共源、共栅结构的新型达林顿放大器结构,并结合有源偏置技术与负反馈技术,实现了超宽带、低噪声、低功耗的特性.在3.3V供电电压下,工作电流为 54mA时,该芯片在0.1-7GHz工作频带内实现了增益大于20 dB,噪声系数小于3dB,增益平坦度小于±1dB,输入输出回波损耗典型值为-15 dB,输出1dB压缩点大于14 dBm,输出三阶截点大于26 dBm.该芯片在低供电电压与功耗的应用场景下实现了较优良的线性度指标,在4G、5G通信系统中有广泛的应用前景.
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