论文部分内容阅读
根据一个吸收层、电荷层和倍增层分立结构（SACM）的InGaAs／InP雪崩光电探测器，减薄电荷层的厚度而引入渐变层，保持材料与厚度不变，改进成吸收层、电荷层、过渡层与倍增层分立结构（SAGCM）的雪崩光电探测器，优化了吸收层与倍增层间材料的异质结结构。采用APSYS软件对其能带结构、电场分布以及暗电流和1．55μm的脉冲光响应电流、增益等进行仿真与计算。对比两种器件的性能，结果分析表明，改进后的器件获得更低的穿通值电压，降低探测器在低偏压下的漏电流，同时得到更大的增益。