InSb相关论文
对于芯片加速寿命可靠性试验来说，温度是其中最重要的一环。首先，立足于芯片可靠性试验中温度的变化，探究高温烘烤对InSb红外探测器芯......
响应波段在1～5.5μm的锑化铟（InSb）红外焦平面探测器具有灵敏度高（相对于铂硅Pt Si）、工艺成熟度高（相对于碲镉汞MCT）等优点,目前已被广泛......
In Sb是一种具有闪锌矿结构的直接带隙半导体,室温下带隙约为0.18 e V,电子迁移率高达7800 cm2V-1s-1,在光电探测器、红外热成像、......
用TEA CO2激光器输出的脉宽为100ns(FWHM),波长为10.6μm的激光脉冲,在室温下入射InSb F-P标准具,得到了双光子机制的光学双稳性。......
研究了InSb红外焦平面探测器的区域性过热盲元问题。通过故障分析以及有针对性的排查对比试验,排除了封装、胶水填充和划片等因素,......
工作在中波（35μm）的探测器具有广泛的应用。对于快速响应的光子探测器领域,Ⅱ-Ⅵ族的HgCdTe（碲镉汞）器件取得了很多重要成果,目前仍然......
观察了不同能量的YAG激光脉冲辐照引起的晶态InSb薄膜熔化与再结晶的瞬态过程,分析了InSb薄膜在激光作用下发生相变的时间过程和微......
结合相关文献对近年来InSb基MBE外延InSb(InAlSb)材料工艺及器件性能进行了梳理分析和总结,对还存在的问题进行了探讨。InSb基外延......
Growth of high quality InSb thin films on GaAs substrates by molecular beam epitaxy method with AlIn
A series of InSb thin films were grown on GaAs substrates by molecular beam epitaxy(MBE).GaSb/AlInSb is used as a compou......
在固液界面控制方面,对Si等成熟半导体的研究较多,而对锑化铟(InSb)材料的研究极少.对InSb晶体等径段生长过程中晶体拉速、转速和......
InSb单元及线列器件广泛应用于中波红外探测器的研制.InSb器件Ⅰ-Ⅴ中测筛选既可以有效地检测出适于装配使用的合格芯片,还可对前......
比较了阳极氧化和Photo-CVD氧化两种钝化方式制备InSb探测器的性能,结果表明前者反偏漏电流小,击穿电压是后者的5倍,背景光电流和......
用改进的恒压微探针方法 ,对 6 4× 6 4元 In Sb凝视红外焦平面器件光伏探测器列阵芯片的性能进行了抽样检测和均匀性评价 .测得典......
锑基红外光敏材料具有优越的光电转换效率,材料结构稳定、可生产性强,并具备低暗电流和高工作温度(HOT)的优势,符合未来红外探测系......
InSb是很有应用前途的Li离子电池非碳类负极材料.使用基于密度泛函理论的第一原理赝势法,计算了hSb在Li嵌入时的125种不同情况下的......
采用对温度敏感的锑化铟(InSb)材料做基底设计了一种温控太赫兹波带阻滤波器。通过控制外部温度的高低来改变锑化铟基底的相对介电......
针对焦平面器件在抛光过程中出现的崩边和深划伤问题,通过分析采用了湿法倒角工艺,并进行了倒角可行性试验、倒角对电极的影响和对......
利用感应耦合等离子体(ICP)进行了InSb刻蚀研究.为了实现高的刻蚀速率同时保证光滑的刻蚀表面,研究中在CH4/H2/Ar气氛中引入了Cl2.......
InSb材料在近来的锂离子电池负极材料研究中受到了重视.使用基于局域密度泛函理论的第一原理赝势法,计算了锂离子电池非碳类负极材......
