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为了设计具有最小寄生晶闸管发射结分流电阻Rp的大电流IGBT，针对圆形、方形、条形等发射极图形设计，建立了Rp的计算公式模型，并据此讨论了在各种图形设计中Rp与p进高浓度深层扩散的结深和表面杂质的关系，以及图形及其尺寸对Rp大小的影响。
IGBT的寄生晶闸管发射结分流电阻
【摘 要】
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为了设计具有最小寄生晶闸管发射结分流电阻Rp的大电流IGBT，针对圆形、方形、条形等发射极图形设计，建立了Rp的计算公式模型，并据此讨论了在各种图形设计中Rp与p进高浓度深层扩
【机 构】
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陕西机械学院自动化系
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1995年4期
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