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对减缩时域有限差分(R-FDTD)法进行了改进,采用传统时域有限差分(FDTD)法计算导体和源网格处的电场,其余网格处的电场采用R-FDTD法计算.细导线附近网格上的磁场也采用传统FDTD法计算,这样可以消除直接利用R-FDTD法计算时长时间迭代后出现的不稳定性.用这种改进的R-FDTD方法分别对一个在导体壁上开有水平和垂直缝隙的矩形屏蔽外壳的电磁干扰进行了预测,得到了屏蔽外壳激励源的输出功率曲线和屏蔽外壳的泄漏功率曲线,所得的计算结果与文献报道的实验数据吻合.