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[期刊论文] 作者：张秀兰,朱文珍,黄大定,
来源：半导体学报 年份：2004
通过实验确定了一种与GexSi1-x合金表面具有良好电化学界面的电解液，利用电化学C-V方法研究了多层GexSi1-x/Si异质外延材料的载流子浓度纵向分布．实验结果表明：采用这种电解...
[期刊论文] 作者：黄大定,王军杰,杨锡震,吴正龙,
来源：半导体学报 年份：1997
对不同的Ｏ，Ｃｅ束流比条件下用离子束外延方法生长的氧化铈／硅薄膜在热处理前和干氧气氛中经不同温度热退火后进行俄歇电子能谱深度剖析测量。结果显示出在Ｓｉ衬底上生长的具有正化学配......
[期刊论文] 作者：梁骏吾,黄大定,汪光川,尹恩华,杨雪珍,
来源：半导体学报 年份：1984
本文报道对直拉硅单晶碳沾污机理的研究.用气相色谱法分析了石英与石墨反应生成物CO的蒸气压P_(co)以及拉晶条件下石英坩埚和石墨托之间反应的P_(co).在1512-1600K温度下测得...
[期刊论文] 作者：黄大定,刘超,李建平,高斐,孙殿照,朱世荣,孔梅影,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2003
在特定温控下对掺杂气体分子的状态和活性进行控制,建立了一套具有自主知识产权的气源分子束外延工艺生长SiGe/S i材料的原位掺杂控制技术.采用该技术生长的SiGe/Si HBT外延...
[期刊论文] 作者：李建平, 黄大定, 刘金平, 刘学锋, 李灵宵, 朱世荣, 孙殿,
来源：半导体学报 年份：1999
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[期刊论文] 作者：林燕霞，黄大定，张秀兰，刘金平，李建平，高飞，孙殿照，曾一平,
来源：城市道桥与防洪 年份：2000
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：李建平,黄大定,刘金平,刘学锋,李灵宵,朱世荣,孙殿照,孔梅影,
来源：半导体学报 年份：1999
为提高外延ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ材料中Ｓｉ发射极的生长速率，研究了Ｓｉ２Ｈ６预热温度对Ｓｉ生长速率的影响，结果表明在一很窄的温区内，Ｓｉ的生长速率提高了一倍．进一步升温Ｓｉ的生长速率迅速下降．用四级质谱仪对低温Ｓｉ－ＧＳＭＢＥ中Ｓｉ２Ｈ６的热裂......
[期刊论文] 作者：邹德恕,徐晨,陈建新,史辰,杜金玉,高国,沈光地,黄大定,李,
来源：城市道桥与防洪 年份：2004
用GSMBE法生长了Si/SiGe/Si异质结构材料．采用双台面结构制造了SiGe/Si NPN异质结晶体管．在发射结条宽为4μm,面积为4μm×18μm的条件下，其共发射极直流放大倍数为75，截止频率为...
[期刊论文] 作者：黄大定,秦复光,姚振钰,刘志凯,任治璋,林兰英,高维滨,任庆余,
来源：半导体学报 年份：1995
采用质量分离的低能双离子束淀积（ＩＢＤ）技术，在硅（１１１）衬底上共淀积，生长了氧化铈外延薄膜．椭圆偏振仪测得，膜厚２０００Ａ．俄歇能谱仪测得，外延层内铈、氧分布均匀，具有很好的正化学比．Ｘ射线双晶衍射得到明......
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