准饱和效应相关论文
功率VDMOSFET是功率电力电子器件的主流产品之一.它在大功率开关、功率放大器等领域中的应用日益广泛.VDMOSFET具有高输入阻抗,低......
在考虑准饱和效应的情况下,给出了能够精确描述漂移区纵向电场对电子迁移率影响的微分方程,建立了包括用解析方法求解该方程、漂移......
借助二维数值模拟软件ATHENA和ATLAS,研究分析了一款耐压为700 V的外延型LDMOS管的工作特性.按其工作机制,提出了用一个MOST和两个......
借助于SILVAC0TCAD仿真工具，研究了高压LDMOS电流准饱和效应（Quasi—saturationeffect）的形成原因。通过分析不同栅极电压下漂移区的......
分析了功率VDMOS晶体管在小尺寸时准饱和效应的成因,并对其进行了理论证明和模拟验证.研究结果表明,在晶体管导通状态下,由于寄生J......
本课题的研究目的旨在从改变功率VDMOS的结构参数入手得到外延层厚度和栅源电压对功率VDMOS纵向电场的影响,并且在结构参数变化的......
为解决垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS器件）模型精确度差的问题,建立了一套新的VDMOS模型.与其他模型相比,该模型在VDMOS器件源极......
